Расчеты и прогнозирование свойств 2,4 диметилбутана, триметилциклогексана, пропилизобутаноата, 2-метил-2-пентанола
Рефераты по химии / Расчеты и прогнозирование свойств 2,4 диметилбутана, триметилциклогексана, пропилизобутаноата, 2-метил-2-пентанолаСтраница 46
Задание №9
Для первого вещества рекомендованными методами рассчитать вязкость вещества при Т=730К и низком давлении.
Теоретический расчет:
где
-вязкость при низком давлении; М - молярная масса; Т - температура;
-интеграл столкновений;
диаметр.
где характеристическая температура
где
- постоянная Больцмана;
- энергетический параметр; A=1.16145;
B=0.14874; C=0.52487; D=077320; E=2.16178; F=2.43787.
где
- ацентрический фактор;
и
- возьмем из предыдущих заданий.
2,2,3-Триметилпинтан.
;
;
Метод Голубева.
Т. к. приведенная температура
то используем формулу:
где
где
- молярная масса, критическое давление и критическая температура соответственно.
мкП.
Метод Тодоса.
где ![]()
-критическая температура, критическое давление, молярная масса соответственно.
Задание №10.
Для первого соединения рассчитать рекомендованными методами вязкость вешества при температуре 730К. и давлении 100атм.
2,2,3-Триметилпентан.
Расчет, основанный на понятии остаточной вязкости.
где
- вязкость плотного газа мкП;
- вязкость при низком давлении мкП;
- приведенная плотность газа;
Корреляция, основанная на отношении вязкостей.
где A, B, C, D являются функциями приведенной температуры
;
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
Информация о химии
Br — Бром
БРОМ (лат. Bromum), Br, химический элемент VII группы периодической системы, атомный номер 35, атомная масса 79,904, относится к галогенам. Природный бром представляет смесь двух нуклидов с массовыми числами 79 (в смеси 50,56% по ...
Общая химия
О́бщая хи́мия — курс химии в ВУЗах, представляющий собой совокупность ряда разделов неорганической, органической, физической, аналитической химии, а также др. направлений химической науки. Основами современного кур ...
Гальвани (Galvani), Луиджи
Итальянский анатом и физиолог Луиджи Гальвани, один из основателей учения об электричестве, основоположник электрофизиологии, родился в Болонье. В 1759 г. окончил Болонский университет, в котором изучал сначала богословие, а затем ...
