Зависимость скорости химической реакции от площади поверхности соприкосновения реагирующих веществ

Рефераты по химии / Химический эксперимент по неорганической химии в системе проблемного обучения / Методические рекомендации и разработки содержания школьного химического эксперимента в системе проблемного обучения / Зависимость скорости химической реакции от площади поверхности соприкосновения реагирующих веществ

В три пробирки (под номерами) прилить по 2 мл раствора HCl, и добавить в первую – гранулу Zn, во вторую – стружку Zn, в третью – порошок Zn (одинаковые по массе).

Наблюдения: химическая реакция идет во всех трех пробирках (выделение газа), но с разной интенсивностью.

Уравнение реакции:

Zn + 2НCl → ZnCl2 + Н2↑

· гранулы медленно

· стружка с высокой скоростью

· порошок бурно

Проблема:

Учитель: все вещества одинаковы по своей химической природе, одинаковы по массе и концентрации, реагируют при одинаковой температуре, однако интенсивность выделения водорода (а следовательно и скорость) разная.

Обсуждение:

Учащиеся: Одинаковые по массе гранулы Zn, стружки Zn и пыль Zn, имеют разные занимаемые объемы в пробирке, разную степень измельчения. Там где эта степень измельчения наибольшая – скорость выделения водорода максимальна.

Учитель: эта характеристика – площадь поверхности соприкосновения реагирующих веществ. В нашем случае различна площадь поверхности соприкосновения цинка с раствором Н2SO4.

Вывод:

Учащиеся: Скорость химической реакции зависит от площади соприкосновения реагирующих веществ: чем больше площадь соприкосновения реагирующих веществ (степень измельчения), тем больше скорость реакции.

Учитель: такая зависимость наблюдается не всегда: так для некоторых гетерогенных реакций, например, в системе Твердое вещество – Газ, при очень высоких температурах (более 500 0С) сильно измельчённые (до порошка) вещества способны спекаться, тем самым площадь поверхности соприкосновения реагирующих веществ уменьшается.

Информация о химии

Эйлер-Хельпин (von Euler-Chelpin), Ганс фон

Немецко-шведский биохимик Ганс Карл Август Симон фон Эйлер-Хельпин родился в Аугсберге в Германии и был сыном Габриэлы фон Эйлер-Хельпин (в девичестве Фиртнер) и Ригаса фон Эйлер-Хельпина. Поскольку после рождения мальчика его отц ...

Гальвани (Galvani), Луиджи

Итальянский анатом и физиолог Луиджи Гальвани, один из основателей учения об электричестве, основоположник электрофизиологии, родился в Болонье. В 1759 г. окончил Болонский университет, в котором изучал сначала богословие, а затем ...

Kr — Криптон

КРИПТОН (лат. Krypton), Kr, химический элемент VIII группы периодической системы, атомный номер 36, атомная масса 83,80, относится к инертным, или благородным, газам. Свойства: плотность 3,745 г/л, tкип 153,35 °С. Название: ...