Твердофазная полимеризация 1,4-бис-(л-ацетиламинофенил)бутадиина, оптические и фотоэлектрические свойства образующегося полимера

Мономер ААФБ обладает высоким удельным темновым сопротивлением (0,5 -1015 Ом-см). Фотоэлектрическая чувствительность мономерного образца мала ( 1,2-10-8 А/Вт) и обусловлена образованием в кристалле некоторого количества макромолекул под воздействием облучения видимым светом. Увеличение концентрации и подвижности носителей с ростом количества и длины полимерных цепей при полимеризации приводит к увеличению фотоэлектрической чувствительности в полимерных образцах со степенью конверсии 8% до 6,0-10~7 А/Вт и к уменьшению темнового сопротивления до 0.5-1013 Ом-см.

После частичной экстракции

мономера спиртом фотоэлектрическая чувствительность увеличивается на три порядка (5^акс =3,0-10-4 А/Вт) и темновое сопротивление уменьшается до 0,5-1010 Ом-см.

Рис. 4. Спектральная фотоэлектрическая чувствительность кристаллов ААФБ мономера (1), полимера со степенью конверсии 8% (2) и полимера после обработки спиртом (3)

При обработке заполимеризованных кристаллов спиртом непрореагировавший мономер удаляется лишь из поверхностных слоев кристалла (таким способом отмывается лишь ~10% от общего количества непрореагировавшего мономера), и в этих слоях, по-видимому, происходит агрегация полимерных молекул. Поэтому связанное с такой обработкой резкое увеличение темновой и фотопроводимости свидетельствует о том, что эта проводимость является поверхностной. Обработка образцов растворителем с добавлением 12 сопровождается дальнейшим увеличением фотоэлектрической чувствительности с появлением дополнительного максимума в длинноволновой области спектра (700 нм). По-видимому, это обусловлено тем, что атомы играют роль легирующих примесей, локализованных на дефектах кристаллической решетки вблизи поверхности кристалла.