Расчеты и прогнозирование свойств органических соединений

Рефераты по химии / Расчеты и прогнозирование свойств органических соединений
Страница 41

Задание №9

Для первого вещества рекомендованными методами рассчитать вязкость вещества при Т=730К и низком давлении.

Теоретический расчет:

где -вязкость при низком давлении; М- молярная масса; Т- температура; -интеграл столкновений; диаметр.

где характеристическая температура где - постоянная Больцмана; - энергетический параметр; A=1.16145;B=0.14874; C=0.52487; D=077320; E=2.16178; F=2.43787.

где - ацентрический фактор; и -возьмем из предыдущих заданий.

3,4,4-Триметилгептан

;

;

Метод Голубева.

Т.к. приведенная температура то используем формулу:

где где - молярная масса, критическое давление и критическая температура соответственно.

мкП.

Метод Тодоса.

где - критическая температура, критическое давление, молярная масса соответственно.

Задание №10.

Для первого соединения рассчитать рекомендованными методами вязкость вешества при температуре 730К. и давлении 100атм.

3,4,4-Триметилгептан

Расчет, основанный на понятии остаточной вязкости.

где - вязкость плотного газа мкП; - вязкость при низком давлении мкП; - приведенная плотность газа;

Задание №11

Для первого вещества рекомендованными методами рассчитать теплопроводность вещества при температуре 730К и низком давлении.

Теплопроводность индивидуальных газов при низких давлениях рассчитывается по:

Корреляции Эйкена;

Модифицированной корреляции Эйкена и по корреляции Мисика-Тодоса.

Корреляция Эйкена.

где взято из задания №9; М=142,29г/моль молярная масса вещества; - изобарная теплоемкость; R=1,987.

Страницы: 36 37 38 39 40 41 42

Информация о химии

Выводы

  1.     Проведён анализ психолого-педагогической, методической и химической литературы для определения современного состояния проблемы применения эксперимента в системе проблемного обучения. 2.&nb ...

Вант-Гофф (van't Hoff), Якоб Генрик

Нидерландский химик Якоб Генрик Вант-Гофф родился в Роттердаме, в семье врача Якоба Генрика Вант-Гоффа. По настоянию родителей Вант-Гофф начал изучать инженерное дело в Политехнической школе в Дельфте. В ней Вант-Гофф за два года ...

Липском (Lipscomb), Уильям Нанн

Американский физикохимик Уильям Нанн Липскомб родился в Кливленде (штат Огайо), в семье Эдны (Портер) Липскомб и Уильяма Н. Липскомба. Через год после его рождения семья переехала в Лексингтон (штат Кентукки). По окончании средней ...