Закономерности образования и роста вакуумных покрытий

Рефераты по химии / Закономерности образования и роста покрытий / Закономерности образования и роста вакуумных покрытий
Страница 1

Элементарные процессы, протекающие на поверхности при образовании покрытий, в значительной степени зависят от условий и режимов формирования тонкопленочной системы, технологии нанесения покрытий. В случае осаждения покрытия в вакууме из газового потока кинетика роста покрытий, их структура и свойства зависят от следующих основных параметров:

1. Давления остаточных газов в вакуумной камере. Достаточно обосновано эмпирическое правило: чем выше давление в камере, тем ниже качество покрытия.

2. Плотности потока падающих на поверхность атомов j. При возрастании j, как правило, происходит более интенсивное зародышеобразование конденсированной фазы и повышается сплошность покрытия, увеличивается его адгезионная прочность и коррозионная стойкость.

3. Температуры поверхности подложки. При ее повышении формируется покрытие с более равновесной структурой. Однако при этом снижается его сплошность и скорость осаждения. Изменение температуры покрытия после его нанесения может быть причиной полиморфных превращений, которые, в общем случае, оказывают сложное влияние на их структуру и свойства.

4. Степени ионизации и энергии падающих атомов. Повышение степени ионизации и энергии падающих атомов до определенного предельного значения способствуют повышению качества осаждаемого покрытия. При больших значениях энергии атомов, взаимодействующих с поверхностью и участвующих в процессах роста пленки, возможно образование в ней структурных дефектов и даже, при определенных режимах, – травление растущего покрытия.

Процесс осаждения вакуумных покрытий является многофакторным и достаточно сложным. Рассмотрим основные стадии и механизмы роста покрытий при их осаждении из газового потока.

Пусть на поверхность твердого тела, находящегося в вакууме, действует поток частиц с плотностью j (на практике, в технологии осаждения покрытий используются потоки с j ~ 1010…1020 ат./(с×м2)). При взаимодействии отдельного атома с поверхностью протекают следующие относительно элементарные процессы:

1. Энергообмен (аккомодация) с поверхностными атомами подложки. В зависимости от условий энергообмена, природы взаимодействующего атома и атомов подложки возможны две взаимоисключающие друг друга ситуации (рисунок 5):

а) атом упруго отразился;

б) атом закрепился на поверхности – перешел в адсорбированное состояние.

Рисунок 5 – Взаимодействие атомов с поверхностью

Для характеристики термической аккомодации используют коэффициент аккомодации ат, который определяет долю энергии, переданной атомам поверхности при взаимодействии. Если распределение по энергии падающих и исходящих с поверхности атомов подчиняется закону Максвелла, то

ат или ат,

где Е¯ и Т¯ – энергия и температура атомов, поступающих на поверхность; Е­ и Т­ – энергия и температура атомов, уходящих в газовую фазу; Еп и Тп –энергия и температура атомов подложки.

При Е­=Еп имеем ат=1, т. е. наблюдается полная аккомодация. Считается, что всегда при реализующихся на практике условиях и режимах осаждения ат£1.

Установлено, что практически полный энергообмен между атомами на поверхности происходит за время, равное двум периодам согласованных колебаний адсорбированного атома (адатома) и атома подложки: tт»2tо (tо– период колебаний атомов в решетке, tо~ 10-12…10-13с).

Страницы: 1 2

Информация о химии

Диоскорид (Dioscorides) Педаний

Древнеримский (грек по происхождению) врач , фармаколог и натуралист, один из основателей ботаники, Диоскорид Педаний родился в Аназарбе, Киликия, Малая Азия (совр. Назарва). Диоскорид много странствовал вместе с римской армией пр ...

In — Индий

ИНДИЙ (лат. Indium), In, химический элемент III группы периодической системы, атомный номер 49, атомная масса 114,82. Свойства: серебристо-белый металл, легкоплавкий и очень мягкий; плотность 7,31 г/см3, tпл 156,78 °С. На воз ...

Оствальд (Ostwald), Вильгельм Фридрих

Немецкий химик Фридрих Вильгельм Оствальд родился в Риге (Латвия). Он был вторым сыном Готфрида Оствальда, искусного бондаря, и Элизабет (Лойкель) Оствальд. Занимаясь в рижской реальной гимназии, Оствальд проявил себя хорошим учен ...